Справочник IGBT. FF1200R17KE3

 

FF1200R17KE3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FF1200R17KE3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 5950
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1700
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 1200
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 125
   Время нарастания типовое (tr), nS: 200
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FF1200R17KE3

 

 

FF1200R17KE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  infineon
 ff1200r17ke3 b2.pdf

FF1200R17KE3 FF1200R17KE3

/ Technical InformationIGBT-FF1200R17KE3_B2IGBT-modulesIGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated ValuesT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageDC T = 80C, T = 150C I 1200 AC vj max C n

 ..2. Size:426K  infineon
 ff1200r17ke3.pdf

FF1200R17KE3 FF1200R17KE3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1200R17KE3IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 1200 AC vj max C nomContinuous DC collector

 4.1. Size:731K  infineon
 ff1200r17kp4-b2.pdf

FF1200R17KE3 FF1200R17KE3

FF1200R17KP4_B2IHM-A /IGBT4IHM-A module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diodeV = 1700VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRM Potential Applications Medium voltage converters High power converters Tract

 4.2. Size:776K  infineon
 ff1200r17kp4 b2.pdf

FF1200R17KE3 FF1200R17KE3

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1200R17KP4_B2IGBT-ModuleIHM-A Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 DiodeIHM-A module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diodeV = 1700VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power Converters Mittelspannu

 5.1. Size:595K  infineon
 ff1200r17ip5.pdf

FF1200R17KE3 FF1200R17KE3

FF1200R17IP5PrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTCPrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTCV = 1700VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Motorantriebe Motor drives Traktionsumrichter

Другие IGBT... FF300R06KE3 , FF300R06KE3_B2 , FF300R07KE4 , FF300R07ME4_B11 , FF100R12KS4 , FF100R12RT4 , FF100R12YT3 , FF1200R12KE3 , IKW25N120T2 , FF1200R17KE3_B2 , FF1200R17KP4_B2 , FF1400R17IP4 , FF150R12KE3G , FF150R12KS4 , FF150R12KS4_B2 , FF150R12KT3G , FF150R12ME3G .

 

 
Back to Top