BSM100GB120DLC - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги BSM100GB120DLC. Основные параметры


   Наименование: BSM100GB120DLC
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для BSM100GB120DLC

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM100GB120DLC даташит

 ..1. Size:242K  infineon
 bsm100gb120dlc.pdf pdf_icon

BSM100GB120DLC

Technische Information / technical information IGBT-Module BSM100GB120DLC IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstro

 0.1. Size:229K  eupec
 bsm100gb120dlck.pdf pdf_icon

BSM100GB120DLC

Technische Information / technical information IGBT-Module BSM100GB120DLCK IGBT-modules IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T = 80 C, T = 150 C I 100 A DC-collector current T = 25 C, T = 150 C I 205 A Periodischer Kollektor Spitzen

 2.1. Size:166K  eupec
 bsm100gb120dn2.pdf pdf_icon

BSM100GB120DLC

BSM 100 GB 120 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 100 GB 120 DN2 1200V 150A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2107-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate-emitter voltage VGE

 2.2. Size:209K  eupec
 bsm100gb120dn2k.pdf pdf_icon

BSM100GB120DLC

BSM 100 GB 120 DN2K IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 100 GB 120 DN2K 1200V 145A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2107-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate-emitter voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FF150R12KT3G , FF150R12ME3G , FF150R12MS4G , FF150R12RT4 , FF150R12YT3 , FF150R17KE4 , BSM100GAL120DN2 , BSM100GAR120DN2 , FGPF4533 , BSM100GB120DLCK , BSM100GB120DN2 , BSM100GB120DN2K , BSM100GB170DLC , BSM100GB170DN2 , BSM100GB60DLC , BSM100GD60DLC , BSM50GAL100D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.