Справочник IGBT. BSM100GB170DLC

 

BSM100GB170DLC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BSM100GB170DLC
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1200 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для BSM100GB170DLC

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM100GB170DLC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  eupec
 bsm100gb170dlc.pdf pdf_icon

BSM100GB170DLC

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 100 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungVCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 100 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 200 APeriodischer Kollektor Spitzens

 2.1. Size:224K  eupec
 bsm100gb170dn2.pdf pdf_icon

BSM100GB170DLC

BSM 100 GB 170 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 15 OhmType VCE IC Package Ordering CodeBSM 100 GB 170 DN2 1700V 145A HALF-BRIDGE 2 C67070-A2703-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1700 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1700

 5.1. Size:242K  infineon
 bsm100gb120dlc.pdf pdf_icon

BSM100GB170DLC

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM100GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro

 5.2. Size:166K  eupec
 bsm100gb120dn2.pdf pdf_icon

BSM100GB170DLC

BSM 100 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 100 GB 120 DN2 1200V 150A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2107-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FF150R12YT3 , FF150R17KE4 , BSM100GAL120DN2 , BSM100GAR120DN2 , BSM100GB120DLC , BSM100GB120DLCK , BSM100GB120DN2 , BSM100GB120DN2K , GT30J124 , BSM100GB170DN2 , BSM100GB60DLC , BSM100GD60DLC , BSM50GAL100D , BSM50GB100D , BSM50GB120DLC , BSM50GB120DN2 , BSM50GB170DN2 .

History: MII300-12E4 | IRG4BC20K-S | IXST30N60B2D1 | MIXG180W1200TEH | YGW75N65FP | IXSR35N120BD1

 

 
Back to Top

 


 
.