Справочник IGBT. BSM50GB100D

 

BSM50GB100D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BSM50GB100D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 640 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для BSM50GB100D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM50GB100D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  siemens
 bsm50gal100d bsm50gb100d.pdf pdf_icon

BSM50GB100D

 6.1. Size:206K  eupec
 bsm50gb120dn2.pdf pdf_icon

BSM50GB100D

BSM 50 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GB 120 DN2 1200V 78A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2105-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE

 6.2. Size:207K  eupec
 bsm50gb170dn2.pdf pdf_icon

BSM50GB100D

BSM 50 GB 170 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 27 OhmType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GB 170 DN2 1700V 72A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2701-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1700 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1700Gat

 6.3. Size:83K  eupec
 bsm50gb120dlc.pdf pdf_icon

BSM50GB100D

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM50GB120DLCIGBT-Modulesvorlufige Datenpreliminary dataHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 50 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 115 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SRE100N065FSUD6 | FGH75T65SQDT

 

 
Back to Top

 


 
.