BSM50GB60DLC - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: BSM50GB60DLC
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.45 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 9 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM50GB60DLC
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
BSM50GB60DLC даташит
bsm50gb60dlc.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 50 GB 60 DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 V collector-emitter voltage Tc= 80 C IC,nom. 50 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tc= 25 C IC 75 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom t
bsm50gb120dn2.pdf
BSM 50 GB 120 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 50 GB 120 DN2 1200V 78A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2105-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate-emitter voltage VGE
bsm50gb170dn2.pdf
BSM 50 GB 170 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 27 Ohm Type VCE IC Package Ordering Code BSM 50 GB 170 DN2 1700V 72A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2701-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1700 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1700 Gat
Другие IGBT... BSM100GB170DN2 , BSM100GB60DLC , BSM100GD60DLC , BSM50GAL100D , BSM50GB100D , BSM50GB120DLC , BSM50GB120DN2 , BSM50GB170DN2 , RJP30H2A , BSM50GD120DLC , BSM50GD120DN2 , BSM50GD120DN2E3226 , BSM50GD120DN2G , BSM50GD170DL , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor





