BSM50GB60DLC - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM50GB60DLC
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.45 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 9 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM50GB60DLC
BSM50GB60DLC Datasheet (PDF)
bsm50gb60dlc.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 50 GB 60 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 Vcollector-emitter voltageTc= 80C IC,nom. 50 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTc= 25C IC 75 APeriodischer Kollektor Spitzenstromt
bsm50gb120dn2.pdf
BSM 50 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GB 120 DN2 1200V 78A HALF-BRIDGE 1 C67076-A2105-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE
bsm50gb170dn2.pdf
BSM 50 GB 170 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 27 OhmType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GB 170 DN2 1700V 72A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2701-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1700 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1700Gat
bsm50gb120dlc.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM50GB120DLCIGBT-Modulesvorlufige Datenpreliminary dataHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 50 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 115 A
Другие IGBT... BSM100GB170DN2 , BSM100GB60DLC , BSM100GD60DLC , BSM50GAL100D , BSM50GB100D , BSM50GB120DLC , BSM50GB120DN2 , BSM50GB170DN2 , FGH60N60SMD , BSM50GD120DLC , BSM50GD120DN2 , BSM50GD120DN2E3226 , BSM50GD120DN2G , BSM50GD170DL , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2