Справочник IGBT. BSM50GD120DN2

 

BSM50GD120DN2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BSM50GD120DN2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для BSM50GD120DN2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM50GD120DN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  eupec
 bsm50gd120dn2.pdf pdf_icon

BSM50GD120DN2

BSM 50 GD 120 DN2IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GD 120 DN2 1200V 72A ECONOPACK 2K C67076-A2514-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-

 0.1. Size:241K  eupec
 bsm50gd120dn2g.pdf pdf_icon

BSM50GD120DN2

BSM 50 GD 120 DN2GIGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 50 GD 120 DN2G 1200V 78A ECONOPACK 3 C67070-A2521-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate

 0.2. Size:444K  eupec
 bsm50gd120dn2e3226.pdf pdf_icon

BSM50GD120DN2

-40...+1252006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-012006-02-01BSM 50 GD 120 DN2 E3226Gehusemae / SchaltbildPackage outline / Circuit diagramm9 2006-02-01Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fr technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit

 3.1. Size:59K  eupec
 bsm50gd120dlc.pdf pdf_icon

BSM50GD120DN2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM50GD120DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 50 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 85 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSM100GD60DLC , BSM50GAL100D , BSM50GB100D , BSM50GB120DLC , BSM50GB120DN2 , BSM50GB170DN2 , BSM50GB60DLC , BSM50GD120DLC , RJP30E2DPP-M0 , BSM50GD120DN2E3226 , BSM50GD120DN2G , BSM50GD170DL , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 , BSM50GP60 , SKM450GB12E4 .

 

 
Back to Top

 


 
.