SIGC04T60G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SIGC04T60G
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
Тип корпуса: CHIP
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SIGC04T60G Datasheet (PDF)
sigc04t60g.pdf

SIGC04T60G IGBT3 Chip FEATURES: This chip is used for: 600V Trench & Field Stop technology C power module low VCE(sat) discrete components low turn-off losses short tail current Applications: positive temperature coefficient drives G easy paralleling white goods E resonant applications Chip Type VCE ICn Die Size Pac
sigc04t60ge.pdf

SIGC04T60GE IGBT3 Chip Features: This chip is used for: 600V Trench & Field Stop technology C power module low VCE(sat) discrete components low turn-off losses Applications: short tail current drives positive temperature coefficient G white goods E easy paralleling resonant applications Chip Type VCE IC Die Size Packa
sigc04t60gs.pdf

SIGC04T60GS IGBT3 Chip FEATURES: This chip is used for: 600V Trench & Field Stop technology C power module low VCE(sat) discrete components low turn-off losses short tail current Applications: positive temperature coefficient drives G easy paralleling white goods E resonant applications Chip Type VCE ICn Die Size Pa
sigc04t60gse.pdf

SIGC04T60GSE IGBT3 Chip Features: This chip is used for: 600V Trench & Field Stop technology C power module low VCE(sat) discrete components low turn-off losses Applications: short tail current drives positive temperature coefficient G white goods easy paralleling E resonant applicationsChip Type VCE IC Die Size Package
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: TSG25N120CN | IXA60IF1200NA | IXGN50N60B | IXGK60N60B2D1 | APT15GP90K | IXBF12N300 | IRGB4086
History: TSG25N120CN | IXA60IF1200NA | IXGN50N60B | IXGK60N60B2D1 | APT15GP90K | IXBF12N300 | IRGB4086



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884