Справочник IGBT. SIGC04T60GS

 

SIGC04T60GS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SIGC04T60GS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
   Тип корпуса: CHIP
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SIGC04T60GS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  infineon
sigc04t60gs.pdfpdf_icon

SIGC04T60GS

SIGC04T60GS IGBT3 Chip FEATURES: This chip is used for: 600V Trench & Field Stop technology C power module low VCE(sat) discrete components low turn-off losses short tail current Applications: positive temperature coefficient drives G easy paralleling white goods E resonant applications Chip Type VCE ICn Die Size Pa

 0.1. Size:118K  infineon
sigc04t60gse.pdfpdf_icon

SIGC04T60GS

SIGC04T60GSE IGBT3 Chip Features: This chip is used for: 600V Trench & Field Stop technology C power module low VCE(sat) discrete components low turn-off losses Applications: short tail current drives positive temperature coefficient G white goods easy paralleling E resonant applicationsChip Type VCE IC Die Size Package

 4.1. Size:76K  infineon
sigc04t60g.pdfpdf_icon

SIGC04T60GS

SIGC04T60G IGBT3 Chip FEATURES: This chip is used for: 600V Trench & Field Stop technology C power module low VCE(sat) discrete components low turn-off losses short tail current Applications: positive temperature coefficient drives G easy paralleling white goods E resonant applications Chip Type VCE ICn Die Size Pac

 4.2. Size:58K  infineon
sigc04t60ge.pdfpdf_icon

SIGC04T60GS

SIGC04T60GE IGBT3 Chip Features: This chip is used for: 600V Trench & Field Stop technology C power module low VCE(sat) discrete components low turn-off losses Applications: short tail current drives positive temperature coefficient G white goods E easy paralleling resonant applications Chip Type VCE IC Die Size Packa

Другие IGBT... MMIX4B22N300 , SIGC03T60E , SIGC03T60SE , SIGC03T60SNC , SIGC04T60 , SIGC04T60E , SIGC04T60G , SIGC04T60GE , TGPF30N43P , SIGC04T60GSE , SIGC04T65E , SIGC05T60SNC , IGC70T120T6RL , IRGC100B120KB , IRGC100B120UB , IRGC100B60KB , IRGC100B60UB .

 

 
Back to Top

 


 
.