Справочник IGBT. GT20D201

 

GT20D201 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT20D201
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: P
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 450 pF
   Тип корпуса: 2-21F1C
 

 Аналог (замена) для GT20D201

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT20D201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  toshiba
gt20d201.pdfpdf_icon

GT20D201

 9.1. Size:73K  toshiba
gt20d101o gt20d101y.pdfpdf_icon

GT20D201

 9.2. Size:187K  toshiba
gt20d101.pdfpdf_icon

GT20D201

Другие IGBT... FGM603 , FGT312 , FGT313 , FGT412 , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT60N321 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL .

History: IRG7IA19U

 

 
Back to Top

 


 
.