1MBI1500UE-330-02 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 1MBI1500UE-330-02
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15600 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3000 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 1MBI1500UE-330-02
1MBI1500UE-330-02 Datasheet (PDF)
1mbi1500ue-330-02.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byTARGETSPECIFICATION( TENTATIVE )Device Name : IGBT ModuleType Name : 1MBI1500UE-330-02Spec. No. :MT5F 21160K.HaraguchiDec.-10-08T.KogaDec.-10-081S.IgarashiMT5F211609REVISIONS
1mbi150nh-060.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byIGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit
1mbi150nk-060.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byIGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2