1MBI1500UE-330-02 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 1MBI1500UE-330-02
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15600 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3000 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 1MBI1500UE-330-02
1MBI1500UE-330-02 Datasheet (PDF)
1mbi1500ue-330-02.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byTARGETSPECIFICATION( TENTATIVE )Device Name : IGBT ModuleType Name : 1MBI1500UE-330-02Spec. No. :MT5F 21160K.HaraguchiDec.-10-08T.KogaDec.-10-081S.IgarashiMT5F211609REVISIONS
1mbi150nh-060.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byIGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit
1mbi150nk-060.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byIGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit
Другие IGBT... AOB15B65M1 , GT60M104 , FGB40N60SM , IHW20N120R2 , 1MBI100U4F-120L-50 , 1MBI1200U4C-120 , 1MBI1200U4C-170 , 1MBI1200UE-330 , IXGH60N60 , 1MBI150NH-060 , 1MBI150NK-060 , 1MBI1600U4C-120 , 1MBI1600U4C-170 , 1MBI200F-120 , 1MBI200HH-120L-50 , 1MBI200L-120 , 1MBI200NK-060 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65