Справочник IGBT. 1MBI600LP-060

 

1MBI600LP-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBI600LP-060
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 800 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI600LP-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  fuji
1mbi600lp-060.pdfpdf_icon

1MBI600LP-060

 6.1. Size:1021K  fuji
1mbi600ln-060.pdfpdf_icon

1MBI600LP-060

 7.1. Size:252K  fuji
1mbi600v-120-50.pdfpdf_icon

1MBI600LP-060

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI600V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 600A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Charact

 7.2. Size:1029K  fuji
1mbi600u4b-120.pdfpdf_icon

1MBI600LP-060

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI600U4B-120 MS5F 6062 S.MiyashitaMar. 09 05T.Miyasaka Y.SekiMar. 09 05 1MS5F606213K.Yamada 4 4 .

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: AUIRG4BC30U-SL

 

 
Back to Top

 


 
.