IRG4BC20K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG4BC20K
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.27 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 61 pF
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRG4BC20K
IRG4BC20K Datasheet (PDF)
irg4bc20k.pdf

D I Short Circuit RatedI T D T I T I T UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.27V switching speedG Latest generation design
irg4bc20kd-s.pdf

PD -91598AIRG4BC20KD-SINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit RatedULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC Short Circuit Rated UltraFast: Optimized forVCES = 600V high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10s @ 125C, VGE = 15V Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on)
irg4bc20k-s.pdf

D I Short Circuit RatedI T D T I T I T UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VCES = 600V VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.27V switching speedG Latest generation desig
irg4bc20kdpbf.pdf

IRG4BC20KDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit RatedULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEUltraFast IGBTFeaturesC GE =
Другие IGBT... HGTP7N60C3D , IRG4BC10K , IRG4BC10KD , IRG4BC10S , IRG4BC10SD , IRG4BC10UD , IRG4BC20F , IRG4BC20FD , FGH75T65UPD , IRG4BC20KD , IRG4BC20KD-S , IRG4BC20K-S , IRG4BC20S , IRG4BC20SD , IRG4BC20SD-S , IRG4BC20U , IRG4BC20UD .
History: TGH60N65F2DR | MITA150H1700TEH | MMG75S170B6EN | IGC07T120T6L | IXGH60N60C3D1 | OST60N65HEMF | YGW15N120F1A
History: TGH60N65F2DR | MITA150H1700TEH | MMG75S170B6EN | IGC07T120T6L | IXGH60N60C3D1 | OST60N65HEMF | YGW15N120F1A



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet