Справочник IGBT. 1MBI800UG-330

 

1MBI800UG-330 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBI800UG-330
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1330 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1500 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 1MBI800UG-330

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI800UG-330 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:763K  fuji
 1mbi800ug-330.pdf pdf_icon

1MBI800UG-330

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byFuji Electric Systems Co.,Ltd.Module Development DivisionHigh Power Module Gr.Target Specification(Tentative)Device name: IGBT ModuleType name: 1MBI800UG-330Spec. no. : MT5F22460DATE NAME APPROVEDFuji Electri

 6.1. Size:1027K  fuji
 1mbi800u4b-120.pdf pdf_icon

1MBI800UG-330

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI800U4B-120 MS5F 6041 S.MiyashitaFeb. 15 05Feb. 15 05 T.Miyasaka Y.Seki1MS5F604113K.Yamada 4 4 .

Другие IGBT... 1MBI600PX-120 , 1MBI600PX-140 , 1MBI600S-120 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , 1MBI600V-120-50 , 1MBI75L-060 , 1MBI800U4B-120 , YGW40N65F1 , 1MBI900V-120-50 , 2MBI1000VXB-170E-50 , 2MBI100HB-120-50 , 2MBI100J-120 , 2MBI100N-060 , 2MBI100N-120 , 2MBI100NB-120 , 2MBI100NC-120 .

History: 1MBH25D-120 | 2MBI200VB-120-50 | SKM150GB12V

 

 
Back to Top

 


 
.