2MBI150U2A-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 2MBI150U2A-060
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 220 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
2MBI150U2A-060 Datasheet (PDF)
2mbi150u2a-060.pdf

2MBI150U2A-060600V / 150A 2 in one-packageIGBT Module U-Series2. Equivalent circuitEquivalent Circuit SchematicFeaturesApplications High speed switching Inverter for Motor drive Voltage drive AC and DC Servo drive amplifier Low inductance module structure Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machinesMaximum ratings and characte
2mbi150u4h-120.pdf

2MBI150U4H-120 IGBT ModulesIGBT MODULE (U series)1200V / 150A / 2 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at Tc=25C unles
2mbi150u4a-120.pdf

SPECIFICATIONIGBT MODULEDevice Name :2MBI150U4A-120Type Name :MS5F 6031Spec. No. :S.MiyashitaFeb. 09 05T.Miyasaka Y.SekiFeb. 09 05 1MS5F603113K.YamadaH04-004-07bR e v i s e d R e c o r d sClassi- AppliedDate Ind. Content Drawn Checked Checked Approvedfication dateIssuedFeb.-09 -05 T.Miyasaka K.YamadaEnactment Y.Sekidate2MS5F603113H04
2mbi150ua-120.pdf

2MBI150UA-1201200V / 150A 2 in one-packageIGBT Module U-SeriesEquivalent Circuit SchematicFeaturesApplications High speed switching Inverter for Motor driveE2 Voltage drive AC and DC Servo drive amplifier C1 Low inductance module structure Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machinesC2E1G1 E1 G2 E2Maximum ratings and ch
Другие IGBT... 2MBI150N-060 , 2MBI150N-120 , 2MBI150NB-120 , 2MBI150NC-060 , 2MBI150NC-120 , 2MBI150PC-140 , 2MBI150S-120 , 2MBI150SC-120 , GT60N321 , 2MBI150U4A-120 , 2MBI150U4B-120 , 2MBI150U4H-120 , 2MBI150UA-120 , 2MBI150VA-060-50 , 2MBI150VA-120-50 , 2MBI150VB-120-50 , 2MBI200HH-120-50 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554