2MBI200NT-120-02 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 2MBI200NT-120-02
Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1650 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 15000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 2MBI200NT-120-02
2MBI200NT-120-02 Datasheet (PDF)
2mbi200nt-120-02.pdf

This datasheet has been download from:www.datasheetcatalog.comDatasheets for electronics components.
2mbi200n-060.pdf

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power
2mbi200n-120.pdf

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power
2mbi200nb-120.pdf

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: STGD10NC60KDT4 | SKM200GAL123D | IXGA42N30C3 | 2MBI200SB-120 | 2MBI1200U4G-170 | IXGH50N60B2
History: STGD10NC60KDT4 | SKM200GAL123D | IXGA42N30C3 | 2MBI200SB-120 | 2MBI1200U4G-170 | IXGH50N60B2



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370