IRG4BC20UD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG4BC20UD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 13 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 39 pF

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG4BC20UD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4BC20UD даташит

 ..1. Size:238K  international rectifier
 irg4bc20ud.pdf pdf_icon

IRG4BC20UD

PD-91449C IRG4BC20UD UltraFast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features UltraFast Optimized for high operating frequencies VCES = 600V 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode VCE(on) typ. = 1.85V Generation 4 IGBT design provides tighter para- G meter distribution and higher efficiency than Generation 3

 0.1. Size:371K  international rectifier
 irg4bc20udpbf.pdf pdf_icon

IRG4BC20UD

PD - 94909A IRG4BC20UDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST UltraFast CoPack IGBT SOFT RECOVERY DIODE Features C UltraFast optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 VCES = 600V kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 1.85V parameter distribution and higher efficiency than G Generati

 0.2. Size:240K  international rectifier
 irg4bc20ud-s.pdf pdf_icon

IRG4BC20UD

PD- 94077 IRG4BC20UD-S UltraFast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features Features Features Features Features UltraFast Optimized for high operating frequencies VCES = 600V 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode VCE(on) typ. = 1.85V Generation 4 IGBT design provides tighter para- G meter distribution

 5.1. Size:173K  international rectifier
 irg4bc20u.pdf pdf_icon

IRG4BC20UD

D D I I T I T D T I T I T Features Features Features Features Features C UltraFast optimized for high operating VCES = 600V frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 1.85V G parameter distribution and higher efficiency than Generatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BC20K, IRG4BC20KD, IRG4BC20KD-S, IRG4BC20K-S, IRG4BC20S, IRG4BC20SD, IRG4BC20SD-S, IRG4BC20U, GT30G122, IRG4BC20W, IRG4BC30F, IRG4BC30FD, IRG4BC30K, IRG4BC30KD, IRG4BC30KD-S, IRG4BC30K-S, IRG4BC30S