2MBI300UC-120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 2MBI300UC-120
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1470 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
2MBI300UC-120 Datasheet (PDF)
2mbi300uc-120.pdf

2MBI300UC-120 IGBT ModulesIGBT MODULE (U series)1200V / 300A / 2 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings (at Tc=25C unless
2mbi300u4e-120.pdf

SPECIFICATIONIGBT MODULEDevice Name :2MBI300U4E-120Type Name :MS5F 6058Spec. No. :S.MiyashitaMar. 09 05aMar. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki1MS5F605813K.YamadaH04-004-07b 2MBI300U4E-1201. Outline Drawing ( Unit : mm )2. Equivalent circuita3MS5F605813H04-004-03a3. Absolute Maximum Ratings ( at Tc= 25oC unless otherwise specified )MaximumItems S
2mbi300u2b-060.pdf

2MBI300U2B-060600V / 300A 2 in one-packageIGBT Module U-Series2. Equivalent circuitEquivalent Circuit SchematicFeaturesApplications High speed switching Inverter for Motor drive Voltage drive AC and DC Servo drive amplifier Low inductance module structure Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machinesMaximum ratings and characte
2mbi300u4h-120.pdf

SPECIFICATIONIGBT MODULEDevice Name :2MBI300U4H-120Type Name :MS5F 6037Spec. No. :S.MiyashitaFeb. 09 05Feb. 09 05 T.Miyasaka Y.Seki1MS5F603713K.YamadaH04-004-07bR e v i s e d R e c o r d sClassi- AppliedDate Ind. Content Drawn Checked Checked Approvedfication dateIssuedFeb.-09 -05 T.Miyasaka K.YamadaEnactment Y.Sekidate2MS5F603713H04
Другие IGBT... 2MBI300NB-060 , 2MBI300P-140 , 2MBI300S-120 , 2MBI300TA-060 , 2MBI300U2B-060 , 2MBI300U4E-120 , 2MBI300U4H-120 , 2MBI300U4N-170-50 , GT45F122 , 2MBI300UE-120 , 2MBI300VB-060-50 , 2MBI300VD-120-50 , 2MBI300VE-120-50 , 2MBI300VH-120-50 , 2MBI300VJ-120-50 , 2MBI300VN-120-50 , 2MBI300VN-170-50 .
History: NCE75ED75VT4 | MMG50S170B
History: NCE75ED75VT4 | MMG50S170B



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749