IRG4BC30F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG4BC30F  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 31 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.59 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 74 pF

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG4BC30F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4BC30F даташит

 ..1. Size:172K  international rectifier
 irg4bc30f.pdf pdf_icon

IRG4BC30F

D I I T I T D T I T I T Features C Features Features Features Features Fast optimized for medium operating VCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 1.59V G parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 @VG

 0.1. Size:302K  international rectifier
 irg4bc30fd.pdf pdf_icon

IRG4BC30F

PD -91451B IRG4BC30FD Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features Features Features Features Features Fast Optimized for medium operating VCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). VCE(on) typ. = 1.59V Generation 4 IGBT design provides tighter G parameter distribution and hig

 0.2. Size:365K  international rectifier
 irg4bc30fd1.pdf pdf_icon

IRG4BC30F

PD - 94773 IRG4BC30FD1 Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C HYPERFAST DIODE VCES = 600V Features Fast optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). VCE(on) typ. = 1.59V G Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than @VGE = 15V, IC = 17A Generation 3.

 0.3. Size:1260K  international rectifier
 irg4bc30fd-s.pdf pdf_icon

IRG4BC30F

PD - 96929 IRG4BC30FD-S Fast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C HYPERFAST DIODE VCES = 600V Features VCE(on) typ. = 1.59V Fast optimized for medium operating frequencies G (1-5 kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighter @VGE = 15V, IC = 17A E parameter distribution and higher efficiency than Generation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BC20KD-S, IRG4BC20K-S, IRG4BC20S, IRG4BC20SD, IRG4BC20SD-S, IRG4BC20U, IRG4BC20UD, IRG4BC20W, MBQ40T65FDSC, IRG4BC30FD, IRG4BC30K, IRG4BC30KD, IRG4BC30KD-S, IRG4BC30K-S, IRG4BC30S, IRG4BC30U, IRG4BC30UD