IRG4BC30KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG4BC30KD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.21 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
Тип корпуса: TO220AB
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IRG4BC30KD Datasheet (PDF)
irg4bc30kd.pdf

PD -94910AIRG4BC30KDPbF Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast IGBTFeatures C High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.21VG switching speed tighter parameter distribu
irg4bc30kds.pdf

PD -91594CIRG4BC30KD-S Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHUltraFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15VVCE(on) typ. = 2.21V Combines low conduction losses with highG switch
irg4bc30kd-s.pdf

PD -91594CIRG4BC30KD-S Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHUltraFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15VVCE(on) typ. = 2.21V Combines low conduction losses with highG switch
irg4bc30k.pdf

D I Short Circuit RatedI T D T I T I T UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.21VG switching speed Latest generation design
Другие IGBT... IRG4BC20SD , IRG4BC20SD-S , IRG4BC20U , IRG4BC20UD , IRG4BC20W , IRG4BC30F , IRG4BC30FD , IRG4BC30K , XNF15N60T , IRG4BC30KD-S , IRG4BC30K-S , IRG4BC30S , IRG4BC30U , IRG4BC30UD , IRG4BC30W , IRG4BC30W-S , IRG4BC40F .
History: IXBN75N170A | 2MBI200TA-060 | STGE50NC60WD | DL2G75SH6A | IKP15N65H5 | MMG400Q060B6EN
History: IXBN75N170A | 2MBI200TA-060 | STGE50NC60WD | DL2G75SH6A | IKP15N65H5 | MMG400Q060B6EN



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent