Справочник IGBT. IRG4BC30KD-S

 

IRG4BC30KD-S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4BC30KD-S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.21 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 67 nC
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для IRG4BC30KD-S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4BC30KD-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  international rectifier
 irg4bc30kd-s.pdf pdf_icon

IRG4BC30KD-S

PD -91594CIRG4BC30KD-S Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHUltraFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15VVCE(on) typ. = 2.21V Combines low conduction losses with highG switch

 4.1. Size:342K  international rectifier
 irg4bc30kd.pdf pdf_icon

IRG4BC30KD-S

PD -94910AIRG4BC30KDPbF Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast IGBTFeatures C High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.21VG switching speed tighter parameter distribu

 4.2. Size:225K  international rectifier
 irg4bc30kds.pdf pdf_icon

IRG4BC30KD-S

PD -91594CIRG4BC30KD-S Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHUltraFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15VVCE(on) typ. = 2.21V Combines low conduction losses with highG switch

 5.1. Size:140K  international rectifier
 irg4bc30k.pdf pdf_icon

IRG4BC30KD-S

D I Short Circuit RatedI T D T I T I T UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.21VG switching speed Latest generation design

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BC20SD-S , IRG4BC20U , IRG4BC20UD , IRG4BC20W , IRG4BC30F , IRG4BC30FD , IRG4BC30K , IRG4BC30KD , GT30F132 , IRG4BC30K-S , IRG4BC30S , IRG4BC30U , IRG4BC30UD , IRG4BC30W , IRG4BC30W-S , IRG4BC40F , IRG4BC40K .

History: IKD15N60RA | IXGF25N250 | IXGQ50N60B4D1

 

 
Back to Top

 


 
.