Справочник IGBT. 6MBP100RA060

 

6MBP100RA060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 6MBP100RA060
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

6MBP100RA060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  fuji
 6mbp100ra060.pdf pdf_icon

6MBP100RA060

 7.1. Size:361K  fuji
 6mbp100vda060-50.pdf pdf_icon

6MBP100RA060

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP100VDA060-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 100A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decr

 7.2. Size:2629K  fuji
 6mbp100na060-01.pdf pdf_icon

6MBP100RA060

 7.3. Size:376K  fuji
 6mbp100vda120-50.pdf pdf_icon

6MBP100RA060

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP100VDA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 100A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big dec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: DF150R12RT4 | MIXA40W1200TMH | IXXK160N65B4

 

 
Back to Top

 


 
.