Справочник IGBT. 6MBP75RA060

 

6MBP75RA060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 6MBP75RA060
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 6MBP75RA060

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

6MBP75RA060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  fuji
 6mbp75ra060.pdf pdf_icon

6MBP75RA060

 8.1. Size:363K  fuji
 6mbp75vda060-50.pdf pdf_icon

6MBP75RA060

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP75VDA060-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 75A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decrea

 8.2. Size:315K  fuji
 6mbp75na060-01.pdf pdf_icon

6MBP75RA060

 8.3. Size:370K  fuji
 6mbp75vda120-50.pdf pdf_icon

6MBP75RA060

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/6MBP75VDA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 75A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 6MBP50RA060 , 6MBP50RA120 , 6MBP50VAA060-50 , 6MBP50VBA060-50 , 6MBP50VBA120-50 , 6MBP50VDA060-50 , 6MBP50VDA120-50 , 6MBP75NA060-01 , SGP30N60 , 6MBP75VBA060-50 , 6MBP75VDA060-50 , 6MBP75VDA120-50 , 7MBP100RA060 , 7MBP100VDA060-50 , 7MBP100VDA120-50 , 7MBP100VEA120-50 , 7MBP150RA060 .

 

 
Back to Top

 


 
.