7MBP35VDA120-50 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 7MBP35VDA120-50
Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 7MBP35VDA120-50
7MBP35VDA120-50 Datasheet (PDF)
7mbp35vda120-50.pdf
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/7MBP35VDA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 35A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decre
7mbp300vea060-50.pdf
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/7MBP300VEA060-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 300A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decr
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2