7MBP35VDA120-50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: 7MBP35VDA120-50  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для 7MBP35VDA120-50

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

7MBP35VDA120-50 даташит

 0.1. Size:444K  fuji
 7mbp35vda120-50.pdf pdf_icon

7MBP35VDA120-50

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 7MBP35VDA120-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 35A / IPM Features Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decre

 9.1. Size:479K  fuji
 7mbp300vea060-50.pdf pdf_icon

7MBP35VDA120-50

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 7MBP300VEA060-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 600V / 300A / IPM Features Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decr

Другие IGBT... 7MBP150RA120, 7MBP150VDA060-50, 7MBP150VEA120-50, 7MBP200VDA060-50, 7MBP200VEA060-50, 7MBP200VEA120-50, 7MBP25VDA120-50, 7MBP300VEA060-50, IHW40T60, 7MBP50VDA060-50, 7MBP50VDA120-50, 7MBP75TEA060, 7MBP75VDA060-50, 7MBP75VDA120-50, 7MBR100U2B060, 7MBR100VB060-50, 7MBR100VN120-50