Справочник IGBT. 7MBP35VDA120-50

 

7MBP35VDA120-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 7MBP35VDA120-50
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

7MBP35VDA120-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:444K  fuji
 7mbp35vda120-50.pdf pdf_icon

7MBP35VDA120-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/7MBP35VDA120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 35A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decre

 9.1. Size:479K  fuji
 7mbp300vea060-50.pdf pdf_icon

7MBP35VDA120-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/7MBP300VEA060-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 300A / IPMFeatures Temperature protection provided by directly detecting the junction temperature of the IGBTs Low power loss and soft switching High performance and high reliability IGBT with overheating protection Higher reliability because of a big decr

Другие IGBT... 7MBP150RA120 , 7MBP150VDA060-50 , 7MBP150VEA120-50 , 7MBP200VDA060-50 , 7MBP200VEA060-50 , 7MBP200VEA120-50 , 7MBP25VDA120-50 , 7MBP300VEA060-50 , GT30J122 , 7MBP50VDA060-50 , 7MBP50VDA120-50 , 7MBP75TEA060 , 7MBP75VDA060-50 , 7MBP75VDA120-50 , 7MBR100U2B060 , 7MBR100VB060-50 , 7MBR100VN120-50 .

 

 
Back to Top

 


 
.