BM63763S-VA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BM63763S-VA
Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BM63763S-VA
BM63763S-VA Datasheet (PDF)
bm63763s-va bm63763s-vc.pdf
DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63763S-VA BM63763S-VC General Description Key Specifications BM63763S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Sma
bm63764s-va bm63764s-vc.pdf
DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63764S-VA BM63764S-VC General Description Key Specifications BM63764S-VA /-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Sm
Другие IGBT... 7MBR75VN120-50 , 7MBR75VP060-50 , 7MBR75VR120-50 , 7MBR75VX120-50 , BM63363S-VA , BM63363S-VC , BM63364S-VA , BM63364S-VC , IKW30N60H3 , BM63763S-VC , BM63764S-VA , BM63764S-VC , BSM10GD120DN2 , BSM10GD120DN2_E3224 , BSM10GP120 , BSM10GP60 , BSM150GAL120DLC .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2