Справочник IGBT. BM63763S-VC

 

BM63763S-VC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BM63763S-VC
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

BM63763S-VC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  rohm
 bm63763s-va bm63763s-vc.pdf pdf_icon

BM63763S-VC

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63763S-VA BM63763S-VC General Description Key Specifications BM63763S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Sma

 8.1. Size:970K  rohm
 bm63764s-va bm63764s-vc.pdf pdf_icon

BM63763S-VC

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63764S-VA BM63764S-VC General Description Key Specifications BM63764S-VA /-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Sm

Другие IGBT... 7MBR75VP060-50 , 7MBR75VR120-50 , 7MBR75VX120-50 , BM63363S-VA , BM63363S-VC , BM63364S-VA , BM63364S-VC , BM63763S-VA , SGT60N60FD1P7 , BM63764S-VA , BM63764S-VC , BSM10GD120DN2 , BSM10GD120DN2_E3224 , BSM10GP120 , BSM10GP60 , BSM150GAL120DLC , BSM150GAL120DN2 .

History: CM2400HC-34H | 2PG006

 

 
Back to Top

 


 
.