BSM150GAL120DLC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM150GAL120DLC
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1600 nC
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BSM150GAL120DLC Datasheet (PDF)
bsm150gal120dlc.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM150GAL120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emit
bsm150gal120dn2.pdf

BSM 150 GAL 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 150 GAL 120 DN2 1200V 210A HALF BRIDGE GAL 2 C67076-A2013-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE
bsm150gar120dn2.pdf

BSM 150 GAR 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 150 GAR 120 DN2 1200V 210A HALF BRIDGE GAR 2 C67076-A2013-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: MMG150D170B6EN | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | FD1000R17IE4 | OST50N65HSZF | XNF6N60T | SM2G75US120
History: MMG150D170B6EN | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | FD1000R17IE4 | OST50N65HSZF | XNF6N60T | SM2G75US120



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g