BSM150GB170DN2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM150GB170DN2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 220 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BSM150GB170DN2 Datasheet (PDF)
bsm150gb170dn2.pdf

BSM 150 GB 170 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 10 OhmType VCE IC Package Ordering CodeBSM 150 GB 170 DN2 1700V 220A HALF-BRIDGE 2 C67070-A2704-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1700 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1700
bsm150gb170dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 150 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 150 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 300 APeriodischer Kollektor Spitzen
bsm150gb120dlc.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM150GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm150gb120dn2.pdf

BSM 150 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 150 GB 120 DN2 1200V 210A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2108-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE
Другие IGBT... BSM10GP120 , BSM10GP60 , BSM150GAL120DLC , BSM150GAL120DN2 , BSM150GAR120DN2 , BSM150GB120DLC , BSM150GB120DN2 , BSM150GB170DLC , IKW50N60T , BSM150GB60DLC , BSM150GD60DLC , BSM15GD120DN2 , BSM15GP120 , BSM15GP60 , BSM200GA120DLC , BSM200GA120DLCS , BSM200GA120DN2 .
History: 2MBI150VA-060-50 | MG100Q2YS50 | ISL9V2040S3S | MMG25H120X6TN | MMG75S120B6C | DF160R12W2H3_B11 | NTE3310
History: 2MBI150VA-060-50 | MG100Q2YS50 | ISL9V2040S3S | MMG25H120X6TN | MMG75S120B6C | DF160R12W2H3_B11 | NTE3310



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet