BSM200GA170DN2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM200GA170DN2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1750 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 290 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2500 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM200GA170DN2
BSM200GA170DN2 Datasheet (PDF)
bsm200ga170dn2 bsm200ga170dn2s.pdf

BSM 200 GA 170 DN2IGBT Power Module Single switch Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 6.8 OhmType VCE IC Package Ordering CodeBSM 200 GA 170 DN2 1700V 290A SINGLE SWITCH 1 C67070-A2705-A67BSM 200 GA 170 DN2 S 1700V 290A SSW SENSE 1 C67070-A2707-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter vo
bsm200ga170dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 200 GA 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungVCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 400 APeriodischer Kollektor Spitzens
bsm200ga120dn2 bsm200ga120dn2s.pdf

BSM 200 GA 120 DN2IGBT Power Module Single switch Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 200 GA 120 DN2 1200V 300A SINGLE SWITCH 1 C67076-A2006-A70BSM 200 GA 120 DN2 S 1200V 300A SSW SENSE 1 C67070-A2006-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollect
bsm200ga120dlcs.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM200GA120DLCSIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstr
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IXYN120N65B3D1 | MG1275W-XBN2MM
History: IXYN120N65B3D1 | MG1275W-XBN2MM



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor