BSM200GAL120DN2 - Аналоги. Основные параметры
Наименование: BSM200GAL120DN2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 290 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM200GAL120DN2
Технические параметры BSM200GAL120DN2
bsm200gal120dn2.pdf
BSM 200 GAL 120 DN2 IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Chopper diode like diode of BSM300GA120DN2 Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 200 GAL 120 DN2 1200V 290A HB 200GAL C67070-A2301-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE =
bsm200gal120dlc.pdf
Technische Information / technical information IGBT-Module BSM200GAL120DLC IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorl ufige Daten / preliminary data H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emit
bsm200gar120dn2.pdf
BSM 200 GAR 120 DN2 IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Chopper diode like diode of BSM300GA120DN2 Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 200 GAR 120 DN2 1200V 290A HB 200GAR C67070-A2301-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE =
bsm200ga120dn2 bsm200ga120dn2s.pdf
BSM 200 GA 120 DN2 IGBT Power Module Single switch Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 200 GA 120 DN2 1200V 300A SINGLE SWITCH 1 C67076-A2006-A70 BSM 200 GA 120 DN2 S 1200V 300A SSW SENSE 1 C67070-A2006-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collect
Другие IGBT... BSM200GA120DLC , BSM200GA120DLCS , BSM200GA120DN2 , BSM200GA120DN2S , BSM200GA170DLC , BSM200GA170DN2 , BSM200GA170DN2S , BSM200GAL120DLC , IRG4PC50UD , BSM200GAR120DN2 , BSM200GB120DLC , BSM200GB120DN2 , BSM200GB170DLC , BSM200GB60DLC , BSM200GD60DLC , BSM20GD60DLC_E3224 , BSM25GAL120DN2 .
History: BSM35GP120
History: BSM35GP120
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198










