BSM200GAL120DN2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM200GAL120DN2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 290 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BSM200GAL120DN2 Datasheet (PDF)
bsm200gal120dn2.pdf

BSM 200 GAL 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Chopper diode like diode of BSM300GA120DN2 Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 200 GAL 120 DN2 1200V 290A HB 200GAL C67070-A2301-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE =
bsm200gal120dlc.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM200GAL120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emit
bsm200gar120dn2.pdf

BSM 200 GAR 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Chopper diode like diode of BSM300GA120DN2 Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 200 GAR 120 DN2 1200V 290A HB 200GAR C67070-A2301-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE =
bsm200ga120dn2 bsm200ga120dn2s.pdf

BSM 200 GA 120 DN2IGBT Power Module Single switch Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 200 GA 120 DN2 1200V 300A SINGLE SWITCH 1 C67076-A2006-A70BSM 200 GA 120 DN2 S 1200V 300A SSW SENSE 1 C67070-A2006-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollect
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: IKW30N65H5 | MITB10WB1200TMH | 6MBP150VDA060-50 | APTGF90SK60D1 | JNG40T60AI | FGH40T65SHDF | APT35GP120B
History: IKW30N65H5 | MITB10WB1200TMH | 6MBP150VDA060-50 | APTGF90SK60D1 | JNG40T60AI | FGH40T65SHDF | APT35GP120B



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198