BSM200GB120DLC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BSM200GB120DLC  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1550 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 420 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BSM200GB120DLC

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM200GB120DLC даташит

 ..1. Size:244K  infineon
 bsm200gb120dlc.pdf pdf_icon

BSM200GB120DLC

Technische Information / technical information IGBT-Module BSM200GB120DLC IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstro

 ..2. Size:88K  eupec
 bsm200gb120dlc.pdf pdf_icon

BSM200GB120DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM200GB120DLC IGBT-Modules vorl ufige Daten preliminary data H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 V collector-emitter voltage TC = 80 C IC,nom. 200 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 C IC 420

 2.1. Size:169K  eupec
 bsm200gb120dn2.pdf pdf_icon

BSM200GB120DLC

BSM 200 GB 120 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 200 GB 120 DN2 1200V 290A HALF-BRIDGE 2 C67070-A2300-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gate-emitter voltage VGE

 5.1. Size:156K  eupec
 bsm200gb170dlc.pdf pdf_icon

BSM200GB120DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 200 GB 170 DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tvj = 25 C VCES 1700 V collector-emitter voltage TC = 80 C IC,nom. 200 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 C IC 400 A Periodischer Kollek

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSM200GA120DN2, BSM200GA120DN2S, BSM200GA170DLC, BSM200GA170DN2, BSM200GA170DN2S, BSM200GAL120DLC, BSM200GAL120DN2, BSM200GAR120DN2, NGTB75N65FL2, BSM200GB120DN2, BSM200GB170DLC, BSM200GB60DLC, BSM200GD60DLC, BSM20GD60DLC_E3224, BSM25GAL120DN2, BSM25GB120DN2, BSM25GD120DN2