BSM300GA120DLCS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM300GA120DLCS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 570 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 3200 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM300GA120DLCS
BSM300GA120DLCS Datasheet (PDF)
bsm300ga120dlc.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM300GA120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm300ga120dlcs.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM300GA120DLCSIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesE 3 B 2 CBB32 1322 14DD D 6 6 6 6F 3FB 2 3 CBB326 B4 3E 3 B 2 4 32 3CF B2 6 6 !6 6 6 " 6#$% &6
bsm300ga120dn2 bsm300ga120dn2s.pdf
BSM 300 GA 120 DN2IGBT Power Module Single switch Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 300 GA 120 DN2 1200V 430A SINGLE SWITCH 1 C67076-A2007-A70BSM 300 GA 120 DN2 S 1200V 430A SSW SENSE 1 C67070-A2017-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollect
bsm300ga170dn2e3166.pdf
BSM300GA170DN2 E3166IGBT Power ModulePreliminary data Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area Package with insulated metal base plate RG on,min = 5.6 OhmType VCE IC Package Ordering CodeBSM300GA170DN2 E3166 1700V 440A SINGLE SWITCH 1 C67070-A2710-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1700 V
bsm300ga170dlc.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 300 GA 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungVCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 300 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 600 APeriodischer Kollektor Spitzens
bsm300ga170dn2 bsm300ga170dn2s.pdf
BSM 300 GA 170 DN2IGBT Power Module Single switch Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 5.6 OhmType VCE IC Package Ordering CodeBSM 300 GA 170 DN2 1700V 440A SINGLE SWITCH 1 C67070-A2706-A67BSM 300 GA 170 DN2 S 1700V 440A SSW SENSE 1 C67070-A2708-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter vo
Другие IGBT... BSM200GB60DLC , BSM200GD60DLC , BSM20GD60DLC_E3224 , BSM25GAL120DN2 , BSM25GB120DN2 , BSM25GD120DN2 , BSM25GD120DN2_E3224 , BSM300GA120DLC , RJP6065DPM , BSM300GA120DN2 , BSM300GA120DN2S , BSM300GA170DLC , BSM300GA170DN2 , BSM300GA170DN2E3166 , BSM300GA170DN2S , BSM300GAR120DLC , BSM300GB120DLC .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2