BSM300GB60DLC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM300GB60DLC
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 375 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 69 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BSM300GB60DLC Datasheet (PDF)
bsm300gb60dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 300 GB 60 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 Vcollector-emitter voltageTc= 65C IC,nom. 300 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTc= 25C IC 375 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom
bsm300gb120dlc.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM300GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm300gb120dlc.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM300GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm300ga170dn2e3166.pdf

BSM300GA170DN2 E3166IGBT Power ModulePreliminary data Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area Package with insulated metal base plate RG on,min = 5.6 OhmType VCE IC Package Ordering CodeBSM300GA170DN2 E3166 1700V 440A SINGLE SWITCH 1 C67070-A2710-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1700 V
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: JNG30N120HS2 | IGW75N60H3 | FD800R33KF2C-K | IKB40N65ES5 | CM400DY-24NF | VS-GB100TP120N | SKM150GB174D
History: JNG30N120HS2 | IGW75N60H3 | FD800R33KF2C-K | IKB40N65ES5 | CM400DY-24NF | VS-GB100TP120N | SKM150GB174D



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815