Справочник IGBT. BSM35GD120DN2

 

BSM35GD120DN2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BSM35GD120DN2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для BSM35GD120DN2

 

 

BSM35GD120DN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  eupec
 bsm35gd120dn2 bsm35gd120dn2 e3224.pdf

BSM35GD120DN2 BSM35GD120DN2

BSM 35 GD 120 DN2IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 35 GD 120 DN2 1200V 50A ECONOPACK 2 C67076-A2506-A67BSM35GD120DN2E3224 1200V 50A ECONOPACK 2K C67070-A2506-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 120

 3.1. Size:184K  eupec
 bsm35gd120dlc e3224.pdf

BSM35GD120DN2 BSM35GD120DN2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM35GD120DLC E3224IGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 35 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 70 APeriodischer Kollektor Spitzens

 8.1. Size:144K  eupec
 bsm35gp120.pdf

BSM35GD120DN2 BSM35GD120DN2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM35GP120IGBT-ModulesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ Diode RectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungVRRM 1600 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom GrenzeffektivwertIFRMSM 40 ARMS forward current per chip Dauerg

 8.2. Size:191K  eupec
 bsm35gb120dn2.pdf

BSM35GD120DN2 BSM35GD120DN2

BSM 35 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 35 GB 120 DN2 1200V 50A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2111-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gat

 8.3. Size:151K  eupec
 bsm35gp120g.pdf

BSM35GD120DN2 BSM35GD120DN2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM35GP120GIGBT-ModulesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesDiode Gleichrichter/ Diode RectifierPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungVRRM 1600 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlastrom GrenzeffektivwertIFRMSM 40 ARMS forward current per chip Dauer

Другие IGBT... BSM300GA170DN2E3166 , BSM300GA170DN2S , BSM300GAR120DLC , BSM300GB120DLC , BSM300GB60DLC , BSM30GD60DLC_E3224 , BSM35GB120DN2 , BSM35GD120DLC_E3224 , IRG4PC40W , BSM35GD120DN2_E3224 , BSM35GP120 , BSM35GP120G , BSM400GA120DLC , BSM400GA120DLCS , BSM400GA120DN2 , BSM400GA120DN2S , BSM400GA170DLC .

 

 
Back to Top