BSM35GD120DN2 - аналоги и описание IGBT

 

BSM35GD120DN2 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: BSM35GD120DN2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для BSM35GD120DN2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры BSM35GD120DN2

 ..1. Size:277K  eupec
 bsm35gd120dn2 bsm35gd120dn2 e3224.pdf pdf_icon

BSM35GD120DN2

BSM 35 GD 120 DN2 IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 35 GD 120 DN2 1200V 50A ECONOPACK 2 C67076-A2506-A67 BSM35GD120DN2E3224 1200V 50A ECONOPACK 2K C67070-A2506-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 120

 3.1. Size:184K  eupec
 bsm35gd120dlc e3224.pdf pdf_icon

BSM35GD120DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM35GD120DLC E3224 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 V collector-emitter voltage TC = 80 C IC,nom. 35 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 C IC 70 A Periodischer Kollektor Spitzens

 8.1. Size:144K  eupec
 bsm35gp120.pdf pdf_icon

BSM35GD120DN2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM35GP120 IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert IFRMSM 40 A RMS forward current per chip Dauerg

 8.2. Size:191K  eupec
 bsm35gb120dn2.pdf pdf_icon

BSM35GD120DN2

BSM 35 GB 120 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 35 GB 120 DN2 1200V 50A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2111-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSM300GA170DN2E3166 , BSM300GA170DN2S , BSM300GAR120DLC , BSM300GB120DLC , BSM300GB60DLC , BSM30GD60DLC_E3224 , BSM35GB120DN2 , BSM35GD120DLC_E3224 , IRG7S313U , BSM35GD120DN2_E3224 , BSM35GP120 , BSM35GP120G , BSM400GA120DLC , BSM400GA120DLCS , BSM400GA120DN2 , BSM400GA120DN2S , BSM400GA170DLC .

 

 
Back to Top

 


 
.