BSM35GP120G - Аналоги. Основные параметры
Наименование: BSM35GP120G
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM35GP120G
Технические параметры BSM35GP120G
bsm35gp120g.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM35GP120G IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert IFRMSM 40 A RMS forward current per chip Dauer
bsm35gp120.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM35GP120 IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische R ckw. Spitzensperrspannung VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchla strom Grenzeffektivwert IFRMSM 40 A RMS forward current per chip Dauerg
bsm35gd120dn2 bsm35gd120dn2 e3224.pdf
BSM 35 GD 120 DN2 IGBT Power Module Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 35 GD 120 DN2 1200V 50A ECONOPACK 2 C67076-A2506-A67 BSM35GD120DN2E3224 1200V 50A ECONOPACK 2K C67070-A2506-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 120
bsm35gb120dn2.pdf
BSM 35 GB 120 DN2 IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area Package with insulated metal base plate Type VCE IC Package Ordering Code BSM 35 GB 120 DN2 1200V 50A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2111-A70 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage VCGR RGE = 20 k 1200 Gat
Другие IGBT... BSM300GB120DLC , BSM300GB60DLC , BSM30GD60DLC_E3224 , BSM35GB120DN2 , BSM35GD120DLC_E3224 , BSM35GD120DN2 , BSM35GD120DN2_E3224 , BSM35GP120 , IRGP4063 , BSM400GA120DLC , BSM400GA120DLCS , BSM400GA120DN2 , BSM400GA120DN2S , BSM400GA170DLC , BSM600GA120DLC , BSM600GA120DLCS , BSM75GAL120DN2 .
History: FGA60N65SMD | MG12150D-BA1MM
History: FGA60N65SMD | MG12150D-BA1MM
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g






