BSM400GA120DN2S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM400GA120DN2S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2700 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 550 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BSM400GA120DN2S Datasheet (PDF)
bsm400ga120dn2 bsm400ga120dn2s.pdf

BSM 400 GA 120 DN2IGBT Power Module Single switch Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 400 GA 120 DN2 1200V 550A SINGLE SWITCH C67070-A2302-A70BSM 400 GA 120 DN2 S 1200V 550A SSW SENSE 1 C67070-A2308-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector
bsm400ga120dlc.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM400GA120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm400ga120dlcs.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM400GA120DLCSIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstr
bsm400ga170dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 400 GA 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungVCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 400 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 800 APeriodischer Kollektor Spitzens
Другие IGBT... BSM35GD120DLC_E3224 , BSM35GD120DN2 , BSM35GD120DN2_E3224 , BSM35GP120 , BSM35GP120G , BSM400GA120DLC , BSM400GA120DLCS , BSM400GA120DN2 , RJP63K2DPP-M0 , BSM400GA170DLC , BSM600GA120DLC , BSM600GA120DLCS , BSM75GAL120DN2 , BSM75GB120DLC , BSM75GB120DN2 , BSM75GB170DN2 , BSM75GB60DLC .
History: APT45GP120B2DF2 | SKM150GB12T4 | IXGT15N120B2D1 | CT20ASL-8 | APT40GP60B2DQ2G | CM20MD-12H | F4-75R12KS4_B11
History: APT45GP120B2DF2 | SKM150GB12T4 | IXGT15N120B2D1 | CT20ASL-8 | APT40GP60B2DQ2G | CM20MD-12H | F4-75R12KS4_B11



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet