BSM400GA120DN2S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM400GA120DN2S
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2700 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 550 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM400GA120DN2S
BSM400GA120DN2S Datasheet (PDF)
bsm400ga120dn2 bsm400ga120dn2s.pdf
BSM 400 GA 120 DN2IGBT Power Module Single switch Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 400 GA 120 DN2 1200V 550A SINGLE SWITCH C67070-A2302-A70BSM 400 GA 120 DN2 S 1200V 550A SSW SENSE 1 C67070-A2308-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector
bsm400ga120dlc.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM400GA120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm400ga120dlcs.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM400GA120DLCSIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstr
bsm400ga170dlc.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 400 GA 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungVCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 400 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 800 APeriodischer Kollektor Spitzens
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2