BSM600GA120DLCS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BSM600GA120DLCS  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3900 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BSM600GA120DLCS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BSM600GA120DLCS даташит

 ..1. Size:274K  eupec
bsm600ga120dlc.pdfpdf_icon

BSM600GA120DLCS

Technische Information / technical information IGBT-Module BSM600GA120DLC IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstro

 0.1. Size:280K  eupec
bsm600ga120dlcs.pdfpdf_icon

BSM600GA120DLCS

Technische Information / technical information IGBT-Module BSM600GA120DLCS IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstr

Другие IGBT... BSM35GP120, BSM35GP120G, BSM400GA120DLC, BSM400GA120DLCS, BSM400GA120DN2, BSM400GA120DN2S, BSM400GA170DLC, BSM600GA120DLC, MBQ60T65PES, BSM75GAL120DN2, BSM75GB120DLC, BSM75GB120DN2, BSM75GB170DN2, BSM75GB60DLC, BSM75GD120DLC, BSM75GD120DN2, BSM75GD60DLC