CM1000DXL-24S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: CM1000DXL-24S 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20000 pF
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CM1000DXL-24S
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
CM1000DXL-24S даташит
cm1000dxl-24s.pdf
CM1000DXL-24S Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBT www.pwrx.com NX-Series Module 1000 Amperes/1200 Volts A B G C D J E K L F AM AM K AH AM AT AU AU AV AU AJ AL 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 L AE Y M X(4 PLACES) 40 AM AK 39 1 R Q 38 37 36 DETAIL "A" Z S 35 T 34 2
Другие IGBT... BSM75GB120DN2, BSM75GB170DN2, BSM75GB60DLC, BSM75GD120DLC, BSM75GD120DN2, BSM75GD60DLC, BSM75GP60, CM1000DUC-34SA, SGT50T65FD1PT, CM100DU-12F, CM100DU-24F, CM100DU-24NFH, CM100DY-24A, CM100DY-24NF, CM100MXA-24S, CM100RL-12NF, CM100RL-24NF
History: CM100DU-12F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620





















