Справочник IGBT. CM1000DXL-24S

 

CM1000DXL-24S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM1000DXL-24S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2300 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM1000DXL-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1055K  1
cm1000dxl-24s.pdfpdf_icon

CM1000DXL-24S

CM1000DXL-24SPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBT www.pwrx.comNX-Series Module1000 Amperes/1200 VoltsABG CDJEKL FAM AMK AHAMAT AU AU AV AUAJAL63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41LAEYMX(4 PLACES)40 AMAK391R Q383736DETAIL "A"ZS35T342

 7.1. Size:539K  1
cm1000duc-34sa.pdfpdf_icon

CM1000DXL-24S

 9.1. Size:182K  1
cm100dy-24nf.pdfpdf_icon

CM1000DXL-24S

 9.2. Size:1109K  1
cm100rx-12a.pdfpdf_icon

CM1000DXL-24S

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.