CM100TL-12NF аналоги, datasheet, параметры транзистора

CM100TL-12NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM100TL-12NF 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1900 pF

Тип корпуса: MODULE

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для CM100TL-12NF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

..1. Size:193K 1
cm100tl-12nf.pdf pdf_icon

6.1. Size:192K 1
cm100tl-24nf.pdf pdf_icon

8.1. Size:554K 1
cm100tx-24s.pdf pdf_icon

8.2. Size:979K 1
cm100tx-24s1.pdf pdf_icon