CM100TU-12F - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

CM100TU-12F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CM100TU-12F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1800 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 620 nC
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для CM100TU-12F

CM100TU-12F Datasheet (PDF)

..1. Size:127K 1
cm100tu-12f.pdf

CM100TU-12FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSix IGBTMOD100 Amperes/600 VoltsJT (4 TYP.)S - NUTS (5 TYP) KKRCMN PPGUP EUP GVP EVP GWP EWPL N L N LB EQMGUN EUN GVN EVN GWN EWNTC TC MEASURING MEASURINGPOINT U V W POINTDescription:J JPowerex IGBTMOD ModulesL N L N Lare desig

6.1. Size:127K 1
cm100tu-24f.pdf

CM100TU-24FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSix IGBTMOD100 Amperes/1200 VoltsJT (4 TYP.)KS - NUTS (5 TYP)KRCMN PP GUP EUP GVP EVP GWP EWPL N L N LB EQMGUN EUN GVN EVN GWN EWNTC TC MEASURING MEASURINGU V WPOINT POINTDescription:J JPowerex IGBTMOD ModulesLLLare designe

8.1. Size:192K 1
cm100tl-24nf.pdf