CM100TU-12F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM100TU-12F  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1800 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM100TU-12F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM100TU-12F даташит

 ..1. Size:127K  1
 cm100tu-12f.pdf pdf_icon

CM100TU-12F

CM100TU-12F Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Six IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts J T (4 TYP.) S - NUTS (5 TYP) K K R CM N P P GUP EUP GVP EVP GWP EWP L N L N L B E Q M GUN EUN GVN EVN GWN EWN TC TC MEASURING MEASURING POINT U V W POINT Description J J Powerex IGBTMOD Modules L N L N L are desig

 6.1. Size:127K  1
 cm100tu-24f.pdf pdf_icon

CM100TU-12F

CM100TU-24F Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Six IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts J T (4 TYP.) K S - NUTS (5 TYP) K R CM N P P GUP EUP GVP EVP GWP EWP L N L N L B E Q M GUN EUN GVN EVN GWN EWN TC TC MEASURING MEASURING U V W POINT POINT Description J J Powerex IGBTMOD Modules LLL are designe

 8.1. Size:192K  1
 cm100tl-24nf.pdf pdf_icon

CM100TU-12F

 8.2. Size:554K  1
 cm100tx-24s.pdf pdf_icon

CM100TU-12F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM100MXA-24S, CM100RL-12NF, CM100RL-24NF, CM100RX-12A, CM100RX-24S, CM100RX-24S1, CM100TL-12NF, CM100TL-24NF, SGT60N60FD1P7, CM100TU-24F, CM100TX-24S, CM100TX-24S1, CM10MD-24H, CM1200DB-34N, CM1200DC-34N, CM1200E4C-34N, CM1200HA-34H