Справочник IGBT. CM150DY-12H

 

CM150DY-12H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM150DY-12H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 550 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 5300 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM150DY-12H

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM150DY-12H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  powerex
 cm150dy-12h.pdf pdf_icon

CM150DY-12H

CM150DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module150 Amperes/600 VoltsABH E E HSC2E1 E2 C1GC KSLDescription:R - M5 THD (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesP - DIA. (2 TYP.)are designed for use in switching.110 TABapplications. Each module consistsJ J JN Nof two IGBT Transistors

 4.1. Size:183K  1
 cm150dy-12nf.pdf pdf_icon

CM150DY-12H

 6.1. Size:189K  1
 cm150dy-24a.pdf pdf_icon

CM150DY-12H

 6.2. Size:288K  1
 cm150dy-24nf.pdf pdf_icon

CM150DY-12H

CM150DY-24NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODNF-Series Module150 Amperes/1200 VoltsTC MEASURED POINTTC MEASURED POINT(BASEPLATE)(BASEPLATE)AAF FF FE EE EG2G2E2 GE2 GBBJJN HN HC2E1 E2 C1 E1C2E1 E2 C1 E1G1 GG1 GDescription:Powerex IGBTMOD ModulesK K KK K KM NUTS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM1400DUC-24S , CM150DU-12F , CM150DU-12H , CM150DU-24F , CM150DU-24NFH , CM150DX-24A , CM150DX-24S , CM150DX-34SA , STGB10NB37LZ , CM150DY-12NF , CM150DY-24A , CM150DY-24NF , CM150E3U-24F , CM150EXS-24S , CM150RL-12NF , CM150RL-24NF , CM150RX-12A .

History: BLG40T65FUK-W | STGWT80H65DFB

 

 
Back to Top

 


 
.