Справочник IGBT. CM150DY-12H

 

CM150DY-12H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM150DY-12H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 550 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 5300 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM150DY-12H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  powerex
cm150dy-12h.pdfpdf_icon

CM150DY-12H

CM150DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module150 Amperes/600 VoltsABH E E HSC2E1 E2 C1GC KSLDescription:R - M5 THD (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesP - DIA. (2 TYP.)are designed for use in switching.110 TABapplications. Each module consistsJ J JN Nof two IGBT Transistors

 4.1. Size:183K  1
cm150dy-12nf.pdfpdf_icon

CM150DY-12H

 6.1. Size:189K  1
cm150dy-24a.pdfpdf_icon

CM150DY-12H

 6.2. Size:288K  1
cm150dy-24nf.pdfpdf_icon

CM150DY-12H

CM150DY-24NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODNF-Series Module150 Amperes/1200 VoltsTC MEASURED POINTTC MEASURED POINT(BASEPLATE)(BASEPLATE)AAF FF FE EE EG2G2E2 GE2 GBBJJN HN HC2E1 E2 C1 E1C2E1 E2 C1 E1G1 GG1 GDescription:Powerex IGBTMOD ModulesK K KK K KM NUTS

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: 6MBI100VX-120-50 | APT26GU30B | FGB40T65SPD-F085 | SKM150GAR123D | TT100N120PF1E | IRGIB10B60KD1P | SKM100GAL12T4

 

 
Back to Top

 


 
.