Справочник IGBT. CM150E3U-24F

 

CM150E3U-24F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM150E3U-24F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2600 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1650 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM150E3U-24F

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM150E3U-24F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  1
cm150e3u-24f.pdfpdf_icon

CM150E3U-24F

MITSUBISHI IGBT MODULESCM150E3U-24FHIGH POWER SWITCHING USECM150E3U-24FIC ...................................................................150AVCES ......................................................... 1200VInsulated Type1-element in a packAPPLICATIONBrakeOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mm10893 0.25414 14 14Tc measured pointCMC2

 8.1. Size:577K  1
cm150exs-24s.pdfpdf_icon

CM150E3U-24F

CM150EXS-24S HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE Collector current IC .................................... 1 5 0 A Collector-emitter voltage V ...................... 1 2 0 0 V CESMaximum junction temperature T .............. 1 7 5 C j maxFlat base Type Copper base plate (non-plating) Tin plating pin terminals RoHS Directive co

 9.1. Size:1243K  1
cm150rx-24s1.pdfpdf_icon

CM150E3U-24F

 9.2. Size:1007K  1
cm150dx-34sa.pdfpdf_icon

CM150E3U-24F

CM150DX-34SAPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBT www.pwrx.comNX-Series Module150 Amperes/1700 VoltsADH EJFKGAKAZ ALL YAG9 8AQAJARASU AB (4 PLACES) ACT 10 7DETAIL "C"M ADP AMN BAPAF (4 PLACES) 611SDETAIL "A"R1 2 3 4 5AE DETAIL "A"AMZ AA AYVQ Description:Y ANY

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: AOTS40B65H1 | APT27GA90K | T0340VB45G | SPT10N120T1 | CM200RX-12A | BLG15T65FUL-P | BSM300GA120DN2S

 

 
Back to Top

 


 
.