CM1600HC-34H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM1600HC-34H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 1300 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM1600HC-34H Datasheet (PDF)
cm1600hc-34h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1600HC-34HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1600HC-34H IC ................................................................ 1600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover
Другие IGBT... CM150RX-24S1 , CM150RXL-34SA , CM150TL-12NF , CM150TL-24NF , CM150TU-12F , CM150TX-24S , CM150TX-24S1 , CM15TF-12H , FGH75T65UPD , CM1800DY-34S , CM1800HC-34H , CM1800HC-34N , CM1800HCB-34N , CM200DU-12F , CM200DU-12NFH , CM200DU-24F , CM200DU-24NFH .
History: SKM145GAL174DN | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | MMG15CB120XB6TC
History: SKM145GAL174DN | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | MMG15CB120XB6TC



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457