CM1600HC-34H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM1600HC-34H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1600 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1300 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM1600HC-34H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM1600HC-34H даташит

 ..1. Size:179K  1
 cm1600hc-34h.pdf pdf_icon

CM1600HC-34H

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM1600HC-34H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM1600HC-34H IC ................................................................ 1600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

Другие IGBT... CM150RX-24S1, CM150RXL-34SA, CM150TL-12NF, CM150TL-24NF, CM150TU-12F, CM150TX-24S, CM150TX-24S1, CM15TF-12H, RJH60F5DPQ-A0, CM1800DY-34S, CM1800HC-34H, CM1800HC-34N, CM1800HCB-34N, CM200DU-12F, CM200DU-12NFH, CM200DU-24F, CM200DU-24NFH