CM200DX-34SA - аналоги и описание IGBT

 

CM200DX-34SA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: CM200DX-34SA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4300 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM200DX-34SA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры CM200DX-34SA

 ..1. Size:493K  1
cm200dx-34sa.pdfpdf_icon

CM200DX-34SA

 6.1. Size:563K  1
cm200dx-24s.pdfpdf_icon

CM200DX-34SA

 8.1. Size:50K  1
cm200dy-24h.pdfpdf_icon

CM200DX-34SA

MITSUBISHI IGBT MODULES CM200DY-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Mitsubishi IGBT Modules are de- R Q - M6 THD N - DIA. signed for use in switching applica- (3 TYP.) (4 TYP.) tions. Each module consists of two TAB#110 t=0.5 IGBTs in a half-bridge configuration M L with each transistor having a re- M verse-conne

 8.2. Size:136K  1
cm200du-24f.pdfpdf_icon

CM200DX-34SA

CM200DU-24F Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts A T - (4 TYP.) D TC MEASURED POINT U (4 PLACES) G2 H E2 C J B E L CM C2E1 E2 C1 E1 H G1 Description G Powerex IGBTMOD Modules Q Q P N S - NUTS are designed for use in switching (3 TYP) applications. Each m

Другие IGBT... CM1800HC-34H , CM1800HC-34N , CM1800HCB-34N , CM200DU-12F , CM200DU-12NFH , CM200DU-24F , CM200DU-24NFH , CM200DX-24S , IXRH40N120 , CM200DY-12H , CM200DY-12NF , CM200DY-24A , CM200DY-24H , CM200DY-24NF , CM200DY-28H , CM200E3U-24F , CM200EXS-24S .

History: MBN400GR12A

 

 
Back to Top

 


 
.