Справочник IGBT. CM200DX-34SA

 

CM200DX-34SA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM200DX-34SA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4300 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM200DX-34SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  1
cm200dx-34sa.pdfpdf_icon

CM200DX-34SA

 6.1. Size:563K  1
cm200dx-24s.pdfpdf_icon

CM200DX-34SA

 8.1. Size:50K  1
cm200dy-24h.pdfpdf_icon

CM200DX-34SA

MITSUBISHI IGBT MODULESCM200DY-24HHIGH POWER SWITCHING USEINSULATED TYPEABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KMitsubishi IGBT Modules are de-RQ - M6 THDN - DIA. signed for use in switching applica-(3 TYP.)(4 TYP.)tions. Each module consists of twoTAB#110 t=0.5IGBTs in a half-bridge configurationMLwith each transistor having a re-Mverse-conne

 8.2. Size:136K  1
cm200du-24f.pdfpdf_icon

CM200DX-34SA

CM200DU-24FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD200 Amperes/1200 VoltsAT - (4 TYP.)DTC MEASURED POINTU (4 PLACES)G2HE2CJB E LCMC2E1 E2 C1E1HG1Description:GPowerex IGBTMOD Modules Q Q P NS - NUTS are designed for use in switching (3 TYP)applications. Each m

Другие IGBT... CM1800HC-34H , CM1800HC-34N , CM1800HCB-34N , CM200DU-12F , CM200DU-12NFH , CM200DU-24F , CM200DU-24NFH , CM200DX-24S , NCE80TD65BT , CM200DY-12H , CM200DY-12NF , CM200DY-24A , CM200DY-24H , CM200DY-24NF , CM200DY-28H , CM200E3U-24F , CM200EXS-24S .

History: MMG75S120B6HN | SM2G100US60 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | IRG4BC10K | BM63364S-VA | 4MBI400VG-060R-50

 

 
Back to Top

 


 
.