Справочник IGBT. CM200DY-24H

 

CM200DY-24H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM200DY-24H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 14000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM200DY-24H

 

 

CM200DY-24H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  1
 cm200dy-24h.pdf

CM200DY-24H CM200DY-24H

MITSUBISHI IGBT MODULESCM200DY-24HHIGH POWER SWITCHING USEINSULATED TYPEABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KMitsubishi IGBT Modules are de-RQ - M6 THDN - DIA. signed for use in switching applica-(3 TYP.)(4 TYP.)tions. Each module consists of twoTAB#110 t=0.5IGBTs in a half-bridge configurationMLwith each transistor having a re-Mverse-conne

 4.1. Size:183K  1
 cm200dy-24nf.pdf

CM200DY-24H

 4.2. Size:440K  1
 cm200dy-24a.pdf

CM200DY-24H CM200DY-24H

CM200DY-24APowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBTMODwww.pwrx.comA-Series Module200 Amperes/1200 VoltsAF FE EG2E2 GBJN HC2E1 E2 C1 E1G1 GK K KM NUTS Description:LD(3 PLACES)(2 PLACES)Powerex IGBTMOD Modules are designed for use in switching T THICKP P Papplications. Each module Q Q U W

 5.1. Size:60K  1
 cm200dy-28h.pdf

CM200DY-24H CM200DY-24H

CM200DY-28HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module200 Amperes/1400 VoltsABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KPowerex IGBTMOD ModulesRQ - M6 THDN - DIA.are designed for use in switching(3 TYP.)(4 TYP.)applications. Each module consists.110 TABM of two IGBT Transistors in a

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top