CM200DY-24H - Аналоги. Основные параметры
Наименование: CM200DY-24H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 14000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM200DY-24H
Технические параметры CM200DY-24H
cm200dy-24h.pdf
MITSUBISHI IGBT MODULES CM200DY-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Mitsubishi IGBT Modules are de- R Q - M6 THD N - DIA. signed for use in switching applica- (3 TYP.) (4 TYP.) tions. Each module consists of two TAB#110 t=0.5 IGBTs in a half-bridge configuration M L with each transistor having a re- M verse-conne
cm200dy-24a.pdf
CM200DY-24A Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBTMOD www.pwrx.com A-Series Module 200 Amperes/1200 Volts A F F E E G2 E2 G B J N H C2E1 E2 C1 E1 G1 G K K K M NUTS Description L D (3 PLACES) (2 PLACES) Powerex IGBTMOD Modules are designed for use in switching T THICK P P P applications. Each module Q Q U W
cm200dy-28h.pdf
CM200DY-28H Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Dual IGBTMOD H-Series Module 200 Amperes/1400 Volts A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Powerex IGBTMOD Modules R Q - M6 THD N - DIA. are designed for use in switching (3 TYP.) (4 TYP.) applications. Each module consists .110 TAB M of two IGBT Transistors in a
Другие IGBT... CM200DU-12NFH , CM200DU-24F , CM200DU-24NFH , CM200DX-24S , CM200DX-34SA , CM200DY-12H , CM200DY-12NF , CM200DY-24A , IRG4PC40W , CM200DY-24NF , CM200DY-28H , CM200E3U-24F , CM200EXS-24S , CM200EXS-34SA , CM200HG-130H , CM200RL-12NF , CM200RL-24NF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249





