CM200DY-24NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM200DY-24NF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1350 nC

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM200DY-24NF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM200DY-24NF даташит

 ..1. Size:183K  1
 cm200dy-24nf.pdf pdf_icon

CM200DY-24NF

 4.1. Size:50K  1
 cm200dy-24h.pdf pdf_icon

CM200DY-24NF

MITSUBISHI IGBT MODULES CM200DY-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Mitsubishi IGBT Modules are de- R Q - M6 THD N - DIA. signed for use in switching applica- (3 TYP.) (4 TYP.) tions. Each module consists of two TAB#110 t=0.5 IGBTs in a half-bridge configuration M L with each transistor having a re- M verse-conne

 4.2. Size:440K  1
 cm200dy-24a.pdf pdf_icon

CM200DY-24NF

CM200DY-24A Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBTMOD www.pwrx.com A-Series Module 200 Amperes/1200 Volts A F F E E G2 E2 G B J N H C2E1 E2 C1 E1 G1 G K K K M NUTS Description L D (3 PLACES) (2 PLACES) Powerex IGBTMOD Modules are designed for use in switching T THICK P P P applications. Each module Q Q U W

 5.1. Size:60K  1
 cm200dy-28h.pdf pdf_icon

CM200DY-24NF

CM200DY-28H Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Dual IGBTMOD H-Series Module 200 Amperes/1400 Volts A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Powerex IGBTMOD Modules R Q - M6 THD N - DIA. are designed for use in switching (3 TYP.) (4 TYP.) applications. Each module consists .110 TAB M of two IGBT Transistors in a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM200DU-24F, CM200DU-24NFH, CM200DX-24S, CM200DX-34SA, CM200DY-12H, CM200DY-12NF, CM200DY-24A, CM200DY-24H, IHW20N135R3, CM200DY-28H, CM200E3U-24F, CM200EXS-24S, CM200EXS-34SA, CM200HG-130H, CM200RL-12NF, CM200RL-24NF, CM200RX-12A