Справочник IGBT. CM200DY-24NF

 

CM200DY-24NF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM200DY-24NF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1350 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM200DY-24NF

 

 

CM200DY-24NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  1
 cm200dy-24nf.pdf

CM200DY-24NF

 4.1. Size:50K  1
 cm200dy-24h.pdf

CM200DY-24NF CM200DY-24NF

MITSUBISHI IGBT MODULESCM200DY-24HHIGH POWER SWITCHING USEINSULATED TYPEABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KMitsubishi IGBT Modules are de-RQ - M6 THDN - DIA. signed for use in switching applica-(3 TYP.)(4 TYP.)tions. Each module consists of twoTAB#110 t=0.5IGBTs in a half-bridge configurationMLwith each transistor having a re-Mverse-conne

 4.2. Size:440K  1
 cm200dy-24a.pdf

CM200DY-24NF CM200DY-24NF

CM200DY-24APowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBTMODwww.pwrx.comA-Series Module200 Amperes/1200 VoltsAF FE EG2E2 GBJN HC2E1 E2 C1 E1G1 GK K KM NUTS Description:LD(3 PLACES)(2 PLACES)Powerex IGBTMOD Modules are designed for use in switching T THICKP P Papplications. Each module Q Q U W

 5.1. Size:60K  1
 cm200dy-28h.pdf

CM200DY-24NF CM200DY-24NF

CM200DY-28HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module200 Amperes/1400 VoltsABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KPowerex IGBTMOD ModulesRQ - M6 THDN - DIA.are designed for use in switching(3 TYP.)(4 TYP.)applications. Each module consists.110 TABM of two IGBT Transistors in a

Другие IGBT... CM200DU-24F , CM200DU-24NFH , CM200DX-24S , CM200DX-34SA , CM200DY-12H , CM200DY-12NF , CM200DY-24A , CM200DY-24H , IHW20N120R2 , CM200DY-28H , CM200E3U-24F , CM200EXS-24S , CM200EXS-34SA , CM200HG-130H , CM200RL-12NF , CM200RL-24NF , CM200RX-12A .

 

 
Back to Top