Справочник IGBT. CM200E3U-24F

 

CM200E3U-24F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM200E3U-24F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 830
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 80
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 3400
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 2200
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM200E3U-24F

 

 

CM200E3U-24F Datasheet (PDF)

 9.1. Size:3465K  willsemi
 wcm2007.pdf

CM200E3U-24F CM200E3U-24F

WCM2007 WCM2007 N- and P-Channel, 20V, MOSFET Http://www.sh-willsemi.com V(BR)DSS RDS(on) Typical. () 0.18@ 4.5V N-Channel 0.23@ 2.5V 20 V 0.30@ 1.8V ESD protection 0.45@-4.5V P-Channel 0.60@ -2.5V -20 V 0.75@ -1.8V SOT-563 ESD protection Descriptions D1 G2 S26 5 4The WCM2007 is the N- and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a singl

 9.2. Size:1401K  willsemi
 wcm2002.pdf

CM200E3U-24F CM200E3U-24F

012344350123443678595952581934555]^5iIjN666e56]f^955(I'O(g666N`6 Y5,-%".//#2 g6U VWWXXXYX66m65(I'kjg6N`6'INh6'(6`-66(IOO( ] N^66`lIh6(Ij'(g6Nh6ijjN1-%".//#2566N(IPmjg6Nh668Z[Z5`-'IjN-'(6N(Imn(g6Nh66`-lImI66h6D1 G2 S2#/".!"#63#3+6.

 9.3. Size:1054K  willsemi
 wcm2001.pdf

CM200E3U-24F CM200E3U-24F

WCM2001WCM2001N- and P-Channel Complementary, 20V, MOSFET Http://www.willsemi.com V(BR)DSS RDS(on) Typ. ( m )180 @ 4.5V N-Channel 225 @ 2.5V20 V 280 @ 1.8V85 @ -4.5V P-Channel 110 @ -2.5V-20 V 150 @ -1.8VD1 G2 S26 5 4DescriptionsThe WCM2001 is the N- and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single 1 2 3package for DC-DC converter or Lo

 9.4. Size:39K  powerex
 cm200dy-12h.pdf

CM200E3U-24F CM200E3U-24F

CM200DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module200 Amperes/600 VoltsABH E E HSC2E1 E2 C1GC KSLDescription:R - M5 THD (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesP - DIA. (2 TYP.)are designed for use in switching.110 TABJ J Japplications. Each module consistsN Nof two IGBT Transistors

 9.5. Size:105K  powerex
 cm200tu-12f.pdf

CM200E3U-24F CM200E3U-24F

CM200TU-12FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSix IGBTMOD200 Amperes/600 VoltsJT (4 TYP.)KS - NUTS (5 TYP)KRCMN PP GUP EUP GVP EVP GWP EWPL N L N LB EQMGUN EUN GVN EVN GWN EWNTC TC MEASURING MEASURINGPOINT U V W POINTDescription:J JPowerex IGBTMOD ModulesLLLare designed

 9.6. Size:86K  powerex
 cm200du-12f.pdf

CM200E3U-24F CM200E3U-24F

CM200DU-12FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD200 Amperes/600 VoltsP - NUTS (3 PLACES)TC MEASURINGPOINTAN DQ (2 PLACES)EC2E1 E2 C1FB GHFDescription:Powerex IGBTMOD Modulesare designed for use in switchingM K K JRapplications. Each module consistsof two IGBT Transisto

 9.7. Size:60K  powerex
 cm200dy-12nf.pdf

CM200E3U-24F CM200E3U-24F

CM200DY-12NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODNF-Series Module200 Amperes/600 VoltsTC MEASURED POINT(BASEPLATE)AF FE EG2E2 GBJN HC2E1 E2 C1 E1G1 GDescription:Powerex IGBTMOD ModulesK K Kare designed for use in switchingM NUTS LD(3 PLACES)(2 PLACES) applications. Each module co

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top