CM200RL-24NF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CM200RL-24NF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1160 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM200RL-24NF

 

 

CM200RL-24NF Datasheet (PDF)

Другие IGBT... CM200DY-24H , CM200DY-24NF , CM200DY-28H , CM200E3U-24F , CM200EXS-24S , CM200EXS-34SA , CM200HG-130H , CM200RL-12NF , IRG4PC40UD , CM200RX-12A , CM200RXL-24S , CM200TL-12NF , CM200TL-24NF , CM200TU-12F , CM20MD-12H , CM225DX-24S1 , CM2400HC-34H .