CM300DY-12E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM300DY-12E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 700 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM300DY-12E Datasheet (PDF)
cm300dy-12h.pdf

CM300DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module300 Amperes/600 VoltsABH E E HSC2E1 E2 C1GC KSLDescription:R - M5 THD (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesP - DIA. (2 TYP.)are designed for use in switching.110 TABapplications. Each module consistsJ J JN Nof two IGBT Transistors
Другие IGBT... CM300DU-12F , CM300DU-12NFH , CM300DU-24F , CM300DU-24NFH , CM300DX-12A , CM300DX-24S , CM300DX-24S1 , CM300DX-34SA , BT40T60ANF , CM300DY-12H , CM300DY-12NF , CM300DY-24A , CM300DY-24H , CM300DY-24NF , CM300DY-24S , CM300EXS-24S , CM30MD-12H .
History: MMG200DR060B | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | SGTP50V65UF1P7 | CM200DX-34SA | SM2G100US60
History: MMG200DR060B | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | SGTP50V65UF1P7 | CM200DX-34SA | SM2G100US60



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p