CM300DY-12NF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: CM300DY-12NF 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 5500 pF
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CM300DY-12NF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
CM300DY-12NF даташит
cm300dy-12h.pdf
CM300DY-12H Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Dual IGBTMOD H-Series Module 300 Amperes/600 Volts A B H E E H S C2E1 E2 C1 G C K S L Description R - M5 THD (3 TYP.) Powerex IGBTMOD Modules P - DIA. (2 TYP.) are designed for use in switching .110 TAB applications. Each module consists J J J N N of two IGBT Transistors
Другие IGBT... CM300DU-24F, CM300DU-24NFH, CM300DX-12A, CM300DX-24S, CM300DX-24S1, CM300DX-34SA, CM300DY-12E, CM300DY-12H, FGA60N65SMD, CM300DY-24A, CM300DY-24H, CM300DY-24NF, CM300DY-24S, CM300EXS-24S, CM30MD-12H, CM35MXA-24S, CM400C1Y-24S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304




