CM35MXA-24S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM35MXA-24S  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 355 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 700 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM35MXA-24S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM35MXA-24S даташит

 ..1. Size:583K  1
 cm35mxa-24s.pdf pdf_icon

CM35MXA-24S

Другие IGBT... CM300DY-12H, CM300DY-12NF, CM300DY-24A, CM300DY-24H, CM300DY-24NF, CM300DY-24S, CM300EXS-24S, CM30MD-12H, JT075N065WED, CM400C1Y-24S, CM400DU-12NFH, CM400DU-24NFH, CM400DU-5F, CM400DX-12A, CM400DY-12H, CM400DY-12NF, CM400DY-24A